FDN327N, Транзистор N-MOSFET 20В 2А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001231109
Артикул
FDN327N
PartNumber
UMW FDN327N
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
11
Корпус
SOT-23-3
Вес, г
0.05
Все параметры
Datasheet UMW FDN327N
pdf, 397 КБ
1855 шт. со склада г.Москва
9 руб.
от 100 шт. —
7.90 руб.
от 1000 шт. —
6.80 руб.
1 шт.
на сумму 9 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 мОм/2А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 11 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.4…1.5 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet UMW FDN327N
pdf, 397 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




