FDN338P, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.088 Ом, -4.5 В, -800 мВ

PartNumber: FDN338P
Ном. номер: 8101253125
Производитель: ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
FDN338P, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.088 Ом, -4.5 В, -800 мВ
Доступно на заказ 6000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
9 руб. × = 27 000 руб.
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.

Описание

The FDN338P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses Fairchild's advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management and load switch applications. The SuperSOT™ -3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.

• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
-1.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.088Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-800мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDN338P