FDN339AN, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 20 В, 35 мОм, 4.5 В, 850 мВ

PartNumber: FDN339AN
Ном. номер: 8109331017
Производитель: ON Semiconductor
FDN339AN, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 20 В, 35 мОм, 4.5 В, 850 мВ
Доступно на заказ 7190 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
42 руб. × = 210 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 22 руб.
от 250 шт. — 21 руб.

Описание

The FDN339AN is a 20V N-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.035Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
850мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDN339AN
Datasheet FDN339AN