FDN359AN, 30V 2.7A 500mW 0.046@10V,2.7A 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8014874911

Артикул

FDN359AN

Бренд

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Все параметры

pdf, 117 КБ

Все документы

4425 шт., срок 8-9 недель

52 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 41 руб.

от 150 шт. — 36 руб.

от 500 шт. — 26.79 руб.

5 шт. на сумму 260 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.7 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	5 nC @ 5 V
Width	1.4mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2.7A(Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Manufacturer	ON Semiconductor
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	500mW(Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package	SuperSOT-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250ВµA