FDN5618P, Транзистор полевой P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 138 шт. —
30 руб.
от 275 шт. —
28 руб.
от 549 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 481 руб.
Посмотреть аналоги4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-23(SuperSOT-3) | |
Brand | ON Semiconductor/Fairchild | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 8 ns | |
Forward Transconductance - Min | 4.3 S | |
Height | 1.12 mm | |
Id - Continuous Drain Current | -1.2 A | |
Length | 2.9 mm | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | SSOT-3 | |
Packaging | Reel | |
Part # Aliases | FDN5618P_NL | |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) | |
Product | MOSFET Small Signal | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 170 mOhms | |
Rise Time | 8 ns | |
RoHS | Details | |
Series | FDN5618P | |
Technology | Si | |
Tradename | PowerTrench | |
Transistor Polarity | P-Channel | |
Transistor Type | 1 P-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 16.5 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns | |
Unit Weight | 0.001058 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Width | 1.4 mm | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.25 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Power Dissipation | 500 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.6 nC @ 10 V | |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов