FDN5618P, МОП-транзистор, P Канал, -1.25 А, -60 В, 170 мОм, -10 В, 20 В

PartNumber: FDN5618P
Ном. номер: 8079238370
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDN5618P, МОП-транзистор, P Канал, -1.25 А, -60 В, 170 мОм, -10 В, 20 В
Фото 2/2 FDN5618P, МОП-транзистор, P Канал, -1.25 А, -60 В, 170 мОм, -10 В, 20 В
Доступно на заказ 92650 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
43 руб. × = 215 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 24 руб.
от 250 шт. — 23 руб.

Описание

The FDN5618P from Fairchild is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.

• High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
• Drain to source voltage (Vds) of -60V
• Gate to source voltage of ±20V
• Continuous drain current (Id) of -1.25A
• Power dissipation (pd) of 500mW
• Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
• Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-60В
Непрерывный Ток Стока
-1.25А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.17Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
20В

Дополнительная информация

Datasheet FDN5618P
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-SuperSOT