FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]

Артикул: FDP025N06
Ном. номер: 9000119309
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
Фото 2/3 FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]Фото 3/3 FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
Доступно на заказ более 9 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
510 руб. × = 510 руб.
от 10 шт. — 280 руб.
от 20 шт. — 231 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
1.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
быстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе
2.5…4.5

Техническая документация

FDP025N06
pdf, 595 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDP025N06