FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220]

Фото 1/4 FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
520 руб.
от 15 шт.505 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 9000031523
Артикул: FDP51N25

Описание

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 51
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 Ом/25.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 320
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1198 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1248 КБ
FDP51N25
pdf, 1158 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов