FDPF13N50FT, FDPF13N50FT -ON SEMICONDUCTOR - Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 12 А, 0.42 Ом, TO-220F

Фото 2/2 FDPF13N50FT, FDPF13N50FT -ON SEMICONDUCTOR - Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 12 А, 0.42 Ом, TO-220F
Фото 1/2 FDPF13N50FT, FDPF13N50FT -ON SEMICONDUCTOR - Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 12 А, 0.42 Ом, TO-220F
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
968 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
350 руб.
от 10 шт.248 руб.
от 100 шт.200 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003076141
Артикул: FDPF13N50FT
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Технические параметры

Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции UniFET FRFET Series
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Непрерывный Ток Стока 12А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 42Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.42Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220F
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 12 А
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 42 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.9мм
Высота 16.07мм
Размеры 10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.36мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 28 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 75 ns
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 540 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 500 V
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 30 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1450 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Длина 10.36mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 12 А
Package Type TO-220F
Maximum Power Dissipation 42 Вт
Series UniFET
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 4.9mm
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Высота 16.07mm
Maximum Drain Source Resistance 540 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 30 нКл при 10 В
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 В, +30 В
Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 42 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 54 ns
Время спада 47 ns
Высота 16.07 mm
Длина 10.36 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение UniFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FDPF13N50FT
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 75 ns
Типичное время задержки при включении 28 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Ширина 4.9 mm
Base Product Number FDPF1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1930pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 6A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series UniFETв„ў ->
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Вес, г 2

Дополнительная информация

Datasheet FDPF13N50FT
Datasheet FDPF13N50FT
Datasheet FDPF13N50FT

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах