FDPF3N50NZ, MOSET UniFET N Channel 50

PartNumber: FDPF3N50NZ
Ном. номер: 8146566337
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDPF3N50NZ, MOSET UniFET N Channel 50
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
150 руб. × = 750 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 88 руб.
от 50 шт. — 72 руб.

Описание

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Типичное время задержки выключения
26 нс
Типичная входная емкость при Vds
210 пФ при 25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6.2 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Through Hole
Типичное время задержки включения
10 ns
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.7mm
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Single
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
10.16 x 4.7 x 15.87
Максимальное рассеяние мощности
27 W
Длина
10.16mm
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Тип корпуса
TO-220F
Максимальный непрерывный ток стока
1.8 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.87mm
Максимальное сопротивление сток-исток
2.5 Ω

Дополнительная информация

MOSET UniFET N Channel 500V 3A