FDPF55N06, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 55 А, 0.018 Ом, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
311 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
Power Dissipation | 48Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | UniFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 55А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FDPF55N06
pdf, 1523 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов