FDPF55N06, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 55 А, 0.018 Ом, TO-220F, Through Hole

FDPF55N06, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 55 А, 0.018 Ом, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.400 руб.
от 100 шт.311 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 700 руб.
Номенклатурный номер: 8001631210
Артикул: FDPF55N06

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.018Ом
Power Dissipation 48Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции UniFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 55А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 48Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.018Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220F
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet FDPF55N06
pdf, 1523 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов