Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDPF5N50FT, Силовой МОП-транзистор ...

FDPF5N50FT, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4.5 А, 1.25 Ом, TO-220F, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

460 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 420 руб.

от 100 шт. — 321 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 760 руб.

Номенклатурный номер: 8003078300

Артикул: FDPF5N50FT

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.25Ом
Power Dissipation	28Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	UniFET FRFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	500В
Непрерывный Ток Стока	4.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Рассеиваемая Мощность	28Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.25Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220F
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	4.5 A
Maximum Drain Source Resistance	1.55 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	28 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220F
Pin Count	3
Series	UniFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Width	4.9mm
Вес, г	2