FDS2572, МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 150 В, 0.04 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: FDS2572
Ном. номер: 8099348152
Производитель: Fairchild Semiconductor
Доступно на заказ 245 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
130 руб. × = 130 руб.
от 25 шт. — 110 руб.
от 100 шт. — 85 руб.

Описание

The FDS2572 is an UltraFET® Trench N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS (ON), low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters, 48V I/P half-bridge/full-bridge, 24V forward and push-pull topologies.

• Low QRR body diode
• Maximized efficiency at high frequencies
• UIS Rated

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
150В
Непрерывный Ток Стока
4.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.04Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FDS2572