Мой регион: Россия

FDS3672

Ном. номер: 8773615983
PartNumber: FDS3672
Производитель: ON Semiconductor
FDS3672
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
177 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 77 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 1-2 недели, 75 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 120 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
2мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
37 нс
Серия
UltraFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2015 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.