FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм, -10 В, -1.6 В

PartNumber: FDS4935A
Ном. номер: 8010181552
Производитель: Fairchild Semiconductor
Доступно на заказ 1230 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
71 руб. × = 355 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 49 руб.
от 250 шт. — 46 руб.

Описание

The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Gate to source voltage
• -7A Continuous drain current
• -30A Pulsed drain current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
1.6Вт
Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
-7А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.023Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.6В

Дополнительная информация

Datasheet FDS4935A