FDS6675
1 060 руб.
от 2 шт. —
940 руб.
от 5 шт. —
852 руб.
от 10 шт. —
811.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Описание
Электроэлемент
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 100 ns |
| Forward Transconductance - Min | 32 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -11 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | FDS6675_NL |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
| Rise Time | 16 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDS6675 |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 316 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
