Добавить к сравнению Сравнить ()

FDS6675, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 14 мОм, -10 В, -1.7 В

PartNumber: FDS6675
Ном. номер: 8063090040
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS6675, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 14 мОм, -10 В, -1.7 В
Доступно на заказ 519 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
170 × = 170
от 25 шт. — 114 руб.
от 100 шт. — 85 руб.

Описание

The FDS6675 is a single P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 30nC Typical low gate charge

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
11А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.014Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.7В

Дополнительная информация

Datasheet FDS6675