Мой регион: Россия

FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]

Ном. номер: 9000393593
Артикул: FDS6675BZ
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]
Фото 2/2 FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]
58 руб.
7764 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 49 руб.
от 100 шт. — 32 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
90 руб. 8 дней, 310 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 30 руб.
57 руб. 3-4 недели, 1715 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 47.90 руб.
от 100 шт. — 30.80 руб.
38 руб. 2-3 недели, 2487 шт. 3 шт. 15 шт.
от 111 шт. — 30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDS6675BZ is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Extended VGSS range (-25V) for battery applications
• HBM ESD protection level of ±5.4kV typical
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Корпус
Вес, г
0.15

Дополнительная информация

Datasheet FDS6675BZ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.