FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]

Артикул: FDS6675BZ
Ном. номер: 9000393593
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]
73 руб.
Доступно на заказ 104 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 10 шт. — 61.40 руб.
от 25 шт. — 61.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
71 руб. 965 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 63 руб.
от 100 шт. — 41 руб.
47 руб. 85 шт. 2-3 недели 5 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.<BR/>The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.<BR/>Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Корпус

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.