FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154]

Фото 1/3 FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 5 шт.106 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 9000338786
Артикул: FDS6680A

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12,5А, 2,5Вт, SO8 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 9.5 Ом/12.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Корпус SOIC-8
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 268 КБ
Документация
pdf, 285 КБ
Datasheet FDS6680A
pdf, 256 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов