FDS6692A, N-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin SOIC

Фото 2/3 FDS6692A, N-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin SOICФото 3/3 FDS6692A, N-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Фото 1/3 FDS6692A, N-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin SOIC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
960 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
120 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.86 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8662933233
Артикул: FDS6692A
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Semiconductors
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 4.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 9 A
Package Type SOIC
Maximum Power Dissipation 1.47 W
Series PowerTrench
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.9мм
Height 1.575mm
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Maximum Drain Source Resistance 19 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Pin Count 8
Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки 9 A
Pd - рассеивание мощности 1.47 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 32 ns
Время спада 32 ns
Высота 1.75 mm
Длина 4.9 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 2500
Серия FDS6692A
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 8 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SO-8
Ширина 3.9 mm

Техническая документация

Datasheet FDS6692A
pdf, 492 КБ
Datasheet FDS6692A
pdf, 507 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах