FDS6875, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, 6 А, -20 В, 0.024 Ом, -4.5 В, -800 мВ

PartNumber: FDS6875
Ном. номер: 8804169023
Производитель: ON Semiconductor
FDS6875, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, 6 А, -20 В, 0.024 Ом, -4.5 В, -800 мВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 руб.
2375 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 88 руб.
от 100 шт. — 68 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 490 руб.

The FDS6875 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics like load switching, battery charging and protection circuits applications.

• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±8V Gate to source voltage
• -6A Continuous drain current
• -20A Pulsed drain current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FDS6875

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.