FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В

PartNumber: FDS6930B
Ном. номер: 8131604950
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В
61 руб.
6720 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 35 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
14.60 руб. 5000 шт. 3-4 недели 2500 шт. 2500 шт.
от 5000 шт. — 14.50 руб.
68 руб. 724 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 55.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• -55 to 150°C Junction and storage temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FDS6930B

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.