Мой регион: Россия

FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В

Ном. номер: 8001675342
PartNumber: FDS6930B
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В
22 руб.
2500 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 2500 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
96 руб. 1-2 недели, 145 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 54 руб.
от 100 шт. — 32 руб.
57 руб. 2-3 недели, 7022 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 48 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
50 руб. 3-4 недели, 472 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 46.20 руб.
от 25 шт. — 44.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• -55 to 150°C Junction and storage temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FDS6930B

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.