FDS6930B, Dual N-Channel MOSFET, 5.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC

Фото 2/3 FDS6930B, Dual N-Channel MOSFET, 5.5 A, 30 V, 8-Pin SOICФото 3/3 FDS6930B, Dual N-Channel MOSFET, 5.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Фото 1/3 FDS6930B, Dual N-Channel MOSFET, 5.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
98 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 490 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8906003728
Артикул: FDS6930B
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Semiconductors
МОП-транзистор SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 5.5 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 2мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 6 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 16 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 38 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 2,7 нКл при 5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 310 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 5.5 A
Pd - рассеивание мощности 2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 38 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6 ns
Время спада 2 ns
Другие названия товара № FDS6930B_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 19 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SO-8
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 5.5A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 2W
Rds On - Drain-Source Resistance 38mО© @ 5.5A,10V
Transistor Polarity 2 N Channel(Double)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDS6930B
pdf, 309 КБ
Datasheet FDS6930B
pdf, 193 КБ
Datasheet FDS6930B
pdf, 537 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах