FDS8878, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 10.2 А, 0.011 Ом, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
104 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 3 200 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 18 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 10.2 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOIC-8 |
Part # Aliases: | FDS8878_NL |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 26 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
Rise Time: | 29 ns |
Series: | FDS8878 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 10.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Width | 4mm |
Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов