FDS8878, МОП-транзистор, N Канал, 10.2 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 2.5 В

PartNumber: FDS8878
Ном. номер: 8036158416
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 FDS8878, МОП-транзистор, N Канал, 10.2 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 2.5 В
Фото 2/4 FDS8878, МОП-транзистор, N Канал, 10.2 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 2.5 ВФото 3/4 FDS8878, МОП-транзистор, N Канал, 10.2 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 2.5 ВФото 4/4 FDS8878, МОП-транзистор, N Канал, 10.2 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 2.5 В
Доступно на заказ 1430 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
55 руб. × = 275 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 41 руб.
от 100 шт. — 25 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
10.2А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.011Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В

Дополнительная информация

Datasheet FDS8878
Datasheet FDS8878
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC