Мой регион: Россия

FDS89141, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.5 А, 100 В, 0.047 Ом, 10 В, 3.1 В

Ном. номер: 8149288648
PartNumber: FDS89141
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDS89141, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.5 А, 100 В, 0.047 Ом, 10 В, 3.1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDS89141, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.5 А, 100 В, 0.047 Ом, 10 В, 3.1 В
150 руб.
2889 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 126 руб.
от 100 шт. — 96 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 8 дней, 7406 шт. 2 шт. 2 шт.
от 20 шт. — 86 руб.
от 200 шт. — 58 руб.
140 руб. 2-3 недели, 332 шт. 1 шт. 4 шт.
от 32 шт. — 103 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
• ±20V Gate to source voltage
• 3.5A Continuous drain current
• 18A Pulsed drain current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3.5 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
31 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5мм
Высота
1.5мм
Размеры
4 x 5 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
4мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
9,8 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
107 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
5.1 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
29 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.272

Дополнительная информация

Datasheet FDS89141

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.