FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]

FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001185612
Артикул
FDS9945
Бренд
Структура
2N-канала
Крутизна характеристики, S
11
Корпус
SOIC-8
Вес, г
0.15
Все параметры
Datasheet FDS9945
pdf, 3442 КБ
1659 шт. со склада г.Москва
70 руб.
от 15 шт.61 руб.
от 150 шт.58 руб.
1 шт. на сумму 70 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги1
Товары со схожими характеристиками

Технические параметры

Структура 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.026 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 1.2…2.5
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet FDS9945
pdf, 3442 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.