FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001185612
Артикул
FDS9945
Бренд
Структура
2N-канала
Крутизна характеристики, S
11
Корпус
SOIC-8
Вес, г
0.15
Все параметры
Datasheet FDS9945
pdf, 3442 КБ
1659 шт. со склада г.Москва
70 руб.
от 15 шт. —
61 руб.
от 150 шт. —
58 руб.
1 шт.
на сумму 70 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги1
Товары со схожими характеристиками
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом/5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 11 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2…2.5 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet FDS9945
pdf, 3442 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




