FDT3612, MOSFET 100V NCh PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
120 руб.
от 500 шт. —
90.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Fall Time: | 4.5 ns |
Forward Transconductance - Min: | 11 S |
Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Part # Aliases: | FDT3612_NL |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 20 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
Rise Time: | 2 ns |
Series: | FDT3612 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.12Ом |
Power Dissipation | 3Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 3.7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.12Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов