Добавить к сравнению Сравнить ()

FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]

Артикул: FDV303N
Ном. номер: 9000107374
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
Фото 2/2 FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
Есть в наличии 523 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
4 × = 4
от 250 шт. — 3 руб.
от 2500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
0.52
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
0.65…1.5

Техническая документация

FDV303N
pdf, 65 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDV303N
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов