FDY100PZ, P-Channel MOSFET, 350 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523

Фото 2/2 FDY100PZ, P-Channel MOSFET, 350 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523
Фото 1/2 FDY100PZ, P-Channel MOSFET, 350 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
780 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
44 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 880 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8426650078
Артикул: FDY100PZ
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Semiconductors
МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные переключатели мощности, которые обеспечивают повышение эффективности системы и удельной мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и мягкий диод обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
В новейших полевых МОП-транзисторах PowerTrench® используется экранированный затвор. структура, обеспечивающая баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой технологии FOM (показатель качества) этих устройств значительно ниже, чем у предыдущих поколений.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют исключить демпфирующие цепи или заменить полевые МОП-транзисторы с более высоким номинальным напряжением. .

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 350 mA
Тип корпуса SOT-523 (SC-89)
Максимальное рассеяние мощности 0.625 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 0.98мм
Высота 0.78мм
Размеры 1.7 x 0.98 x 0.78мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 1.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 6 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 8 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 0.65V
Максимальное сопротивление сток-исток 1.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 1 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 100 пФ при 10 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -8 В, +8 В
Number of Elements per Chip 1
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 350 мА
Package Type SOT-523 (SC-89)
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 0.98мм
Height 0.78мм
Maximum Drain Source Resistance 1,2 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs 1 нКл при 4,5 В
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Channel Type P
Id - непрерывный ток утечки 350 mA
Pd - рассеивание мощности 630 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 13 ns
Время спада 13 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SOT-523F-3
Base Product Number FDY10 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-89, SOT-490
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series PowerTrenchВ® ->
Supplier Device Package SC-89-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet FDY100PZ
pdf, 280 КБ
Datasheet FDY100PZ
pdf, 292 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах