FF300R07KE4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 365 А, 1.55 В, 940 Вт, 650 В, Module

PartNumber: FF300R07KE4HOSA1
Ном. номер: 8006935662
Производитель: Infineon Technologies
FF300R07KE4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 365 А, 1.55 В, 940 Вт, 650 В, Module
Доступно на заказ 5 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
7 480 руб. × = 7 480 руб.
или
купить в 1 клик

Описание

The FF300R07KE4 is a 62mm C-series IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled diode. It is suitable for high power converters and UPS system.

• Extended operating temperature
• High short-circuit capability, self limiting short-circuit current
• High creepage and clearance distances
• Isolated base plate
• Standard housing
• Flexibility
• Optimal electrical performance
• High reliability
• 2.5kVAC Insulation voltage (1 minute)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Рассеиваемая Мощность
940Вт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
365А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.55В

Дополнительная информация

Datasheet FF300R07KE4HOSA1