FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

Фото 2/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]Фото 3/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]Фото 4/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
Фото 1/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
2999 шт. со склада г.Москва
190 руб.
от 15 шт.182 руб.
от 150 шт.179 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9020003351
Артикул: FGA25N120ANTDTU
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 190
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-3p
Структура igbt+диод
Управляющее напряжение,В 5.5
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Вес, г 6.5

Техническая документация

FGA25N120ANTDTU
pdf, 310 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGA25N120ANTDTU
Datasheet FGA25N120ANTDTU
Datasheet FGA25N120ANTDTU
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах