Мой регион: Россия

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

Ном. номер: 9020003351
Артикул: FGA25N120ANTDTU
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
Фото 2/2 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
150 руб.
1822 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 138 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус

Техническая документация

FGA25N120ANTDTU
pdf, 310 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.