FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]

Артикул: FGA25N120ANTDTU
Ном. номер: 9020003351
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Фото 2/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]Фото 3/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]Фото 4/4 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
130 руб. × = 130 руб.
от 25 шт. — 120 руб.
от 250 шт. — 117 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2
Управляющее напряжение,В
5.5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

FGA25N120ANTDTU
pdf, 310 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGA25N120ANTDTU
Datasheet FGA25N120ANTDTU
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов