FGA25N120ANTDTU_F109

Фото 2/2 FGA25N120ANTDTU_F109
Фото 1/2 FGA25N120ANTDTU_F109
11 шт. со склада г.Москва
610 руб.
от 2 шт.510 руб.
от 5 шт.448 руб.
от 10 шт.410 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 9000260991
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание

Корпус TO3P

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Высота 18.9 mm
Длина 15.8 mm
Другие названия товара № FGA25N120ANTDTU_F109
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 450
Серия FGA25N120ANTDTU
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3PN-3
Ширина 5 mm
Вес, г 7.147

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1583 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах