FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]

Фото 2/4 FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]Фото 3/4 FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]Фото 4/4 FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
Фото 1/4 FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
795 шт. со склада г.Москва
500 руб.
от 15 шт.474 руб.
от 150 шт.472 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000394627
Артикул: FGA60N65SMD
Производитель: ON Semiconductor

Описание

IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P

Технические параметры

Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 104
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5

Техническая документация

FGA60N65SMD
pdf, 436 КБ
Datasheet FGA60N65SMD
pdf, 433 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах