FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

990 руб.

от 15 шт. — 928 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 990 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000394627

Артикул: FGA60N65SMD

Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

pdf, 1680 КБ

pdf, 342 КБ

pdf, 433 КБ

pdf, 436 КБ

С этим товаром покупают

ST Microelectronics

4 520 руб.

Uni Trend

2 350 руб.

MEAN WELL

3 020 руб.

Тайвань

9 руб.

MEAN WELL

2 730 руб.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	120
Импульсный ток коллектора (Icm), А	180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	104
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	TO-3PN
Вес, г	6.5