FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.290 руб.
от 100 шт.205 руб.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 720 руб.
Номенклатурный номер: 8000285573
Артикул: FGB5N60UNDF

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.9В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 10А
Power Dissipation 73.5Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Стиль Корпуса Транзистора TO-263AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet FGB5N60UNDF
pdf, 462 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов