FGD3N60UNDF, IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252)

Ном. номер: 8446131756
PartNumber: FGD3N60UNDF
Производитель: ON Semiconductor
FGD3N60UNDF, IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
43 руб.
2630 шт. со склада г.Москва,
срок 8 рабочих дней
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 18 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 140 руб.
от 10 шт. — 105 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
6 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
6.1мм
Высота
2.3мм
Число контактов
3
Размеры
6.6 x 6.1 x 2.3мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N

Дополнительная информация

Datasheet FGD3N60UNDF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.