FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт [TO247] (HGTG5N120BND)

Артикул: FGH15T120SMD_F155
Ном. номер: 9000321818
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт [TO247] (HGTG5N120BND)
Фото 2/2 FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт [TO247] (HGTG5N120BND)
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
270 руб. × = 270 руб.
от 5 шт. — 200 руб.
от 50 шт. — 182 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая документация

FGH15T120SMD
pdf, 251 КБ

Дополнительная информация

FGH15T120SMD, 1200V, 15A Field Stop Trench IGBT FGH15T120SMD_F155
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов