FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]

Фото 2/3 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]Фото 3/3 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
Фото 1/3 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
315 шт. со склада г.Москва
470 руб.
от 15 шт.453 руб.
от 150 шт.450 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000348357
Артикул: FGH30S130P
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 620
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

FGH30S130P
pdf, 822 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах