FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]

Фото 2/4 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]Фото 3/4 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]Фото 4/4 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
Фото 1/4 FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
426 шт. со склада г.Москва
330 руб.
от 15 шт.317 руб.
от 150 шт.314 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000348357
Артикул: FGH30S130P
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 15.87мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1300 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 60 А
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 500 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.82мм
Высота 20.82мм
Число контактов 3
Размеры 15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±25V
Тип канала N
Вес, г 7.5

Техническая документация

FGH30S130P
pdf, 822 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGH30S130P
Datasheet FGH30S130P
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах