FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А TO-247

Артикул: FGH40N60UFDTU
Ном. номер: 9110052944
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А TO-247
Фото 2/4 FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А TO-247Фото 3/4 FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А TO-247Фото 4/4 FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А TO-247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
210 руб. × = 210 руб.
от 5 шт. — 190 руб.
от 50 шт. — 185 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

FGH40N60UFD
pdf, 673 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGH40N60UFDTU
FGH40N60UFD, Field Stop IGBT 600V 40A FGH40N60UFDTU
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов