FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
![Фото 1/3 FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://lib.chipdip.ru/220/DOC001220075.jpg)
![Фото 2/3 FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://lib.chipdip.ru/183/DOC002183605.jpg)
![Фото 3/3 FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://lib.chipdip.ru/667/DOC001667283.jpg)
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
| 220 руб. | × | = | 220 руб. |
от 5 шт. — 170 руб.
от 50 шт. — 162 руб.
Цена и наличие в магазинах
Описание
The FGH60N60SMD is a Field Stop IGBT with high current capability and low saturation voltage.
• Fast switching
• 175°C maximum junction temperature
• Tighten parameter distribution
• High input impedance
• Positive temperature coefficient for easy parallel operating
Технические параметры
Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.9
Управляющее напряжение,В
4.5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+175
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус
Техническая документация
FGH60N60SMD
pdf, 391 КБ
Дополнительная информация
Datasheet FGH60N60SMD
Transistor, IGBT N Channel 600V TO247 FGH60N60SMD
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
