FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]

Фото 2/5 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]Фото 3/5 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]Фото 4/5 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]Фото 5/5 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
Фото 1/5 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
578 шт. со склада г.Москва
380 руб.
от 15 шт.351 руб.
от 150 шт.348 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000321819
Артикул: FGH80N60FDTU
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 126
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

FGH80N60FD
pdf, 318 КБ
Datasheet FGH80N60FDTU
pdf, 388 КБ
Datasheet FGH80N60FDTU
pdf, 422 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах