FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 40А, 290Вт [TO247] (SGH80N60UFTU)

Артикул: FGH80N60FDTU
Ном. номер: 9000321819
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 40А, 290Вт [TO247] (SGH80N60UFTU)
Фото 2/3 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 40А, 290Вт [TO247] (SGH80N60UFTU)Фото 3/3 FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 40А, 290Вт [TO247] (SGH80N60UFTU)
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
270 × = 270
от 5 шт. — 200 руб.
от 50 шт. — 182 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая документация

FGH80N60FD
pdf, 318 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGH80N60FDTU
FGH80N60FD, Field Stop IGBT 600V 80A FGH80N60FDTU
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов