FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
![Фото 1/2 FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269374.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
IGBT,N CH,FAST,W/DIO,1200V,64A,TO264; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:64A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:500W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-264; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:500W
Технические параметры
| Технология/семейство | NPT | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 64 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 500 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 15 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 110 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | TO-264 | |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
