FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]

Артикул: FGL40N120ANDTU
Ном. номер: 9000114852
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Фото 2/3 FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]Фото 3/3 FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
400 руб. × = 400 руб.
от 5 шт. — 370 руб.
от 50 шт. — 360 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

FGL40N120AND
pdf, 495 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGL40N120ANDTU