Мой регион: Россия

FGL40N120ANTU, БТИЗ транзистор, 64 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8209024560
PartNumber: FGL40N120ANTU
Производитель: ON Semiconductor
FGL40N120ANTU, БТИЗ транзистор, 64 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 руб.
601 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 624 руб.
от 10 шт. — 623 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 710 руб.

The FGL40N120ANTU is a 1200V NPT IGBT. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low saturation voltage
• High input impedance
• High speed switching

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г
1.43

Дополнительная информация

Datasheet FGL40N120ANTU

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.