FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]

Фото 2/4 FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]Фото 3/4 FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]Фото 4/4 FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
Фото 1/4 FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
801 шт. со склада г.Москва
350 руб.
от 15 шт.326 руб.
от 150 шт.323 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000196092
Артикул: FGL60N100BNTD
Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание

Корпус TO264

Технические параметры

Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 630
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-264
Вес, г 10

Техническая документация

FGL60N100BNTD
pdf, 511 КБ
Datasheet
pdf, 493 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах