FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3], Fairchild

Описание Транзистор БТИЗ FGL60N100BNTD от ONSEMI представляет собой высокопроизводительный IGBT транзистор в корпусе TO264, предназначенный для монтажа THT. Этот компонент отличается током коллектора 60А и напряжением коллектор-эмиттер 1000В, что обеспечивает оптимальную работу в высоковольтных применениях. Мощность устройства достигает 180Вт, что позволяет использовать его в мощных электронных схемах. Модель FGL60N100BNTD гарантирует надежность и долговечность, становясь идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	60
Напряжение коллектор-эмиттер, В	1000
Мощность, Вт	180
Корпус	TO264

Технология/семейство	NPT
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	630
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-264
Вес, г	10

FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация