FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
![FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 руб.
от 15 шт. —
753 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 руб.
Технические параметры
Технология/семейство | NPT | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 45 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 178 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 9.3 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 54.8 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | to-220 | |
Вес, г | 3.1 | |
Техническая документация
Datasheet FGP15N60UNDF
pdf, 379 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов