FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]

Фото 2/3 FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]Фото 3/3 FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
Фото 1/3 FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
1559 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
676 руб.
от 10 шт.558 руб.
от 30 шт.471 руб.
от 100 шт.400 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 676 руб.
Номенклатурный номер: 9000573317
Артикул: FGP15N60UNDF
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 178
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 9.3
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 54.8
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 3.1

Техническая документация

Datasheet FGP15N60UNDF
pdf, 381 КБ
Datasheet FGP15N60UNDF
pdf, 379 КБ
Datasheet FGP15N60UNDF
pdf, 379 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах