FJP2145TU, ESBC NPN Transistor 800V

PartNumber: FJP2145TU
Ном. номер: 8028349827
Производитель: Fairchild Semiconductor
FJP2145TU, ESBC NPN Transistor 800V
Доступно на заказ более 50 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
89 руб. × = 890 руб.
Цена указана за упаковку из 10
Количество товаров должно быть кратно 10 уп.
от 50 уп. — 69 руб.
от 100 уп. — 55.30 руб.

Описание

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor
Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальный пост. ток коллектора
5 A
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Максимальное рассеяние мощности
120 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Ширина
4.83mm
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
8
Максимальное напряжение база-исток
±20V
Тип транзистора
NPN
Максимальный ток базы
1.5A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
0.202V
Высота
16.51mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

FJP2145, ESBC (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) Rated NPN Power Transistor FJP2145TU