Мой регион: Россия

FJX2222ATF, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 325 мВт, 600 мА, 35 hFE

Ном. номер: 8001636489
PartNumber: FJX2222ATF
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FJX2222ATF, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 325 мВт, 600 мА, 35 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 FJX2222ATF, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 325 мВт, 600 мА, 35 hFEФото 3/3 FJX2222ATF, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 325 мВт, 600 мА, 35 hFE
30 руб.
2808 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 12 шт. — 21 руб.
от 102 шт. — 8.50 руб.
Кратность заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 90 руб.
Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Длина
2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-40 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
325 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.25мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
0.9мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet FJX2222ATF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.