Мой регион: Россия

FMW47N60S1HF, MOSFET N-Channel Enhanc

PartNumber: FMW47N60S1HF
Ном. номер: 8000004231
Производитель: Fuji Electric
FMW47N60S1HF, MOSFET N-Channel Enhanc
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 590 руб.
14 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 1 290 руб.
от 10 шт. — 1 180 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 590 руб.
N-Channel Power MOSFET, Super J MOS, Fuji Electric
N-Channel enhancement mode power MOSFETs

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
47 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.03мм
Высота
20.95мм
Размеры
15.9 x 5.03 x 20.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
83 нс
Производитель
Fuji Electric
Типичное время задержки выключения
135 ns
Серия
Super J-MOS
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
125 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4000 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.