FOD817C3SD, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ

Фото 2/2 FOD817C3SD, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ
Фото 1/2 FOD817C3SD, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8255245109
Артикул: FOD817C3SD
Производитель: ON Semiconductor
73 руб.
3018 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 51 руб.
от 50 шт. — 22 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
69 руб. 7 дней, 13350 шт. 50 шт. 50 шт.
12 руб. 3-4 недели, 13000 шт. 1000 шт. 1000 шт.
от 3000 шт. — 11.10 руб.
от 7000 шт. — 10 руб.
33 руб. 3-4 недели, 781 шт. 1 шт. 4 шт.
от 30 шт. — 22.70 руб.
от 100 шт. — 21.20 руб.
19.80 руб. 3-5 недель, 79 шт. 1 шт. 10 шт.
110 руб. 3-4 недели, 112 шт. 2 шт. 2 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Оптоэлектроника и Дисплеи\Оптопары\Оптопары с Транзисторным Выходом

The FOD817C3SD is a 1-channel 4-pin Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.

• Minimum BVCEO of 70V guaranteed
• 850V Maximum working insulation voltage
• 8000V High allowable overvoltage
• 200-400% Current transfer ratio

Технические параметры

Количество каналов 1 канал
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 70В
Напряжение Изоляции 5кВ
Стиль Корпуса Оптопары Поверхностный Монтаж DIP
Максимальный Прямой Ток 50мА
Мин. CTR 200%
Number of Channels 1
Maximum Current Transfer Ratio 600%
Typical Rise Time 4µs
Brand ON Semiconductor
Package Type PDIP
Special Features AC Input Responce, Applicable to Pb-free IR Reflow Soldering, Higher Operating Temperatures
Isolation Voltage 5000 V ac
Logic Output Yes
Number of Pins 4
Input Current Type AC
Mounting Type Surface Mount
Maximum Forward Voltage 1.4V
Typical Fall Time 3µs
Output Device Phototransistor
Вес, г 0.575

Дополнительная информация

Datasheet FOD817C3SD

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.