FP50R06W2E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 65 А, 1.45 В, 175 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 150 руб.
от 5 шт. —
12 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 150 руб.
Описание
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 65 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 175 W |
Number of Transistors | 7 |
Вес, г | 0.41 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1050 КБ