FQA24N60, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 23.5 А, 600 В, 240 мОм, 10 В, 5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
от 5 шт. —
214 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой FQA24N60 от ONSEMI – это высокоэффективный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия типа THT. Способный работать с током стока до 23,5 А и напряжением сток-исток до 600 В, этот транзистор обладает мощностью 310 Вт, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Корпус TO3PN обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Воспользуйтесь преимуществами FQA24N60 для улучшения производительности ваших электронных схем. Продукт FQA24N60 сочетает в себе высокие технические характеристики и качество, характерное для продукции ONSEMI. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 23.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 310 |
| Корпус | TO3PN |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Width | 5mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1639 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
